金属半导体材料是最早应用于氨气传感器的一类材料，而且目前大部分的氨气传感器仍采用SnO2半导体材料。该材料主要是依靠接触氨气前后的电导率变化进行检测，不少学者对单一的金属半导体材料进行掺杂改性，获得了不错的效果。Vibha Srivastava 等分别用Pt、 Pd、Au掺杂WO3，对比发现Pt掺杂的材料在450℃下获得最好响应，响应时间15s，检测限为15ppm。

大部分金属半导体传感器的温度应用范围在200～500℃，为此，Patil D R等制作了 Cr2O3激活ZnO薄膜，能够在室温下使用，对300ppm的氨气响应时间小于25s，恢复时间小于75s，灵敏度达到14。Petrov VV等在材料结构方面做了研究，合成了SiO2-SnOx-AgOy 材料，最低使用温度是50℃，材料具有孔状结构，对20～250ppm的气体有较好响应。

同时又有不少新的半导体材料加入到氨气传感器的行列中。如：Chaudhari GN等通过溶胶-凝胶法制得LaCO0.8Fe0.2O3 半导体材料，掺杂0.3%Pd(wt)时，在200℃以上温度工作条件下获得了较好的响应。Sagade Abhay A等发现Cu1.4 S在200ppm下灵敏度达到了2。

选择性差是半导体材料应用的最大缺陷，Guo Pengfeng等研究了Ti掺杂In2O3材料，发现改性材料对NH3、CO、H2 均有响应，这给它的应用带来困难。